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HL2304
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2304
- 商品编号
- C7420346
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V；57mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.08nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 234pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源击穿电压(VDSS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 3.6 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 60 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 75 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻(RDS(ON))的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理