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BSS138
1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
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- 描述
- 特性：VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- BSS138
- 商品编号
- C7420339
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V；1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源极电压(VDSS) = 50 V
- 漏极电流(ID) = 340 mA
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 2.5 Ω
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 3.0 Ω
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻(RDS(ON))的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理