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SI2309CDS-T1-BE3

1个P沟道耐压:60V 电流:1.2A 1.6A

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描述: 特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用：负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI2309CDS-T1-BE3
商品编号: C7360561
商品封装: SOT-23(TO-236)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034831克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

商品特性

提供无卤选项
沟道型功率MOSFET

应用领域

负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	1.2A；1.6A
	导通电阻(RDS(on))	345mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1W；1.7W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	210pF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-55℃~+150℃