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SIHB25N50E-GE3
1个N沟道 耐压:500V 电流:26A
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- 描述
- 特性：低品质因数（FOM）：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：硬开关拓扑。 功率因数校正电源 (PFC)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB25N50E-GE3
- 商品编号
- C7363728
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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