SIHFBE30S-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFBE30S-GE3
- 商品编号
- C7363742
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器（PA）开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
相似推荐
其他推荐
- SIHFBF30S-GE3
- SIHFR320TRL-GE3
- SIHG17N60D-E3
- SIHG22N60EL-GE3
- SIHG61N65EF-GE3
- SIHG64N65E-GE3
- SIHG80N60EF-GE3
- SIHH11N65E-T1-GE3
- SIHH26N60EF-T1-GE3
- SIHP065N60E-BE3
- SIHP105N60EF-GE3
- SIHP12N65E-GE3
- SIHP15N60E-GE3
- SIHP17N60D-E3
- SIHP38N60EF-GE3
- SIHP6N65E-GE3
- SIHU6N62E-GE3
- SIHW33N60E-GE3
- SIR512DP-T1-RE3
- SIR800ADP-T1-RE3
- SIR804DP-T1-GE3