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SIDR5102EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:28.2A 电流:126A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准，无卤。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR5102EP-T1-RE3
- 商品编号
- C7363714
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 126A；28.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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