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SIHB12N65E-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 特性：低品质因数 (Ron x Qg)。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB12N65E-GE3
- 商品编号
- C7363723
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.224nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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