温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIA4263DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen III p- 通道功率MOSFET。 RDS(on)额定值在VGS =-1.8V。 100% Rg和UIS测试。应用：移动设备中的电池管理。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA4263DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C7363707
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.825nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.25Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 3.2S（典型值）
- 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 550 V）
- 增强型：Vth = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
相似推荐
其他推荐