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SIA4263DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen III p- 通道功率MOSFET。 RDS(on)额定值在VGS =-1.8V。 100% Rg和UIS测试。应用：移动设备中的电池管理。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA4263DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C7363707
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- VGS = -1.8 V时的RDS(on)额定值
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-移动设备电池管理-电池开关-负载开关-功率放大器开关
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