SI8413DB-T1-E1
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8413DB-T1-E1
- 商品编号
- C7363388
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- MICRO FOOT芯片级封装减小了占位面积轮廓(0.62 mm)和单位占位面积的导通电阻
应用领域
-负载开关-电池开关-充电器开关-功率放大器开关
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