温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2304BDS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,30V,3.2A,70mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2304BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C81446
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义，无卤
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC