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SIR468DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR468DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:40A

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描述
N沟道,30V,40A,0.0057Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR468DP-T1-GE3
商品编号
C81448
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)13.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.72nF@15V
反向传输电容(Crss)130pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 无卤
  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 低端开关
  • 笔记本电脑直流-直流(DC/DC)转换器

数据手册PDF