SI2338DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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描述
N沟道,30V,6A,0.028Ω@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI2338DS-T1-GE3商品编号
C82649商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,5.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 1.3W;2.5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 424pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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