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SI1024X-T1-GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET，额定 1.8 V。 非常小的占位面积。 高端开关。 低导通电阻：0.7 Ω。 低阈值：0.8 V（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1024X-T1-GE3
- 商品编号
- C86784
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 145mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET:额定电压 1.8 V
- 封装尺寸极小
- 高端开关
- 低导通电阻:0.7 Ω
- 低阈值:0.8 V(典型值)
- 快速开关速度:10 ns
- 1.8 V 工作电压
- 栅源极静电放电(ESD)保护:2000 V
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关:手机、寻呼机
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