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SI4477DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:26.6A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4477DY-T1-GE3
- 商品编号
- C87947
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@2.5V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 100% 进行非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-适配器开关-笔记本电脑-游戏机