温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STN1NK60Z
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。除了显著降低导通电阻外，这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN1NK60Z
- 商品编号
- C86809
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 94pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，该技术通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对最严苛的应用确保了高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷最小化
- ESD 能力增强
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用