STP28NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:21A
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描述
N沟道,500V,21A,158mΩ@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP28NM50N商品编号
C90262商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 21A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 135mΩ@10V,10.5A | |
功率(Pd) | 150W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@400V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.735nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.3pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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