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STW3N150
1个N沟道 耐压:1500V 电流:2.5A
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- 描述
- 这些功率MOSFET采用基于条形布局的成熟MESH OVERLAY™工艺设计。其成果是一款性能与其他制造商同类标准产品相当或更优的产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW3N150
- 商品编号
- C92238
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@1200V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.2pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
这些功率MOSFET采用基于整合条形布局的MESH OVERLAY™工艺设计。其产品性能与其他制造商的同类标准产品相当或更优。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 本征电容和Qg最小化
- 高速开关
- 全隔离TO - 3PF塑料封装，爬电距离路径为5.4 mm（典型值）
应用领域
- 开关应用
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