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STW3N150实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STW3N150

1个N沟道 耐压:1500V 电流:2.5A

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描述
这些功率MOSFET采用基于条形布局的成熟MESH OVERLAY™工艺设计。其成果是一款性能与其他制造商同类标准产品相当或更优的产品。
商品型号
STW3N150
商品编号
C92238
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)140W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)29.3nC@1200V
输入电容(Ciss)939pF@25V
反向传输电容(Crss)13.2pF@25V
工作温度-50℃~+150℃

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