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PSMN1R0-30YLC,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R0-30YLC,115
- 商品编号
- C82742
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.645nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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