SI4946BEY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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描述
N沟道,60V,5.8A,52mΩ@4.5V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4946BEY-T1-GE3商品编号
C83862商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 41mΩ@10V,5.3A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 3.7W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 840pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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