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SI1012R-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
- 描述
- N沟道,20V,0.6A,700mΩ@4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1012R-T1-GE3
- 商品编号
- C81450
- 商品封装
- SC-75A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET:额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护:2000 V
- 高端开关
- 低导通电阻:0.7 Ω
- 低阈值:0.8 V(典型值)
- 快速开关速度:10 ns
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机