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DMT10H009LH3
1个N沟道 耐压:100V 电流:84A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H009LH3
- 商品编号
- C7172105
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.309nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
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微型、节省空间的封装
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低外形高度
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低导通电阻
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快速开关时间
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低栅极电荷
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符合 RoHS 标准（豁免条款 7a）
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符合 REACH 法规，无冲突矿物
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微型、节省空间的设计
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低外形高度
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低导通电阻
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快速开关时间
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低栅极电荷
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符合 RoHS 标准（豁免条款 7a）
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符合 REACH 法规，无冲突矿物
应用领域
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电源管理单元
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电池供电设备
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负载开关、极性保护
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商业/工业级应用
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电源监控单元
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电池供电设备
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负载开关、极性保护
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标准规格