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DMT10H009LH3
1个N沟道 耐压:100V 电流:84A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H009LH3
- 商品编号
- C7172105
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.309nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- 背光照明