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DMT3020LFVW-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:38A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020LFVW-7
- 商品编号
- C7172121
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，使终端产品更小巧
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤和无锑，为“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-模拟开关