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DMTH10H025LPSQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A 电流:9.3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H025LPSQ-13
- 商品编号
- C7172158
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A；45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.477nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
2N6802是一款n沟道增强型硅栅功率MOS场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。该型号可直接由集成电路驱动。 2N6802采用JEDEC TO - 205AF（薄型TO - 39）金属封装。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 开关速度快
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMTH10H025LPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过了AEC - Q101认证,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-同步整流器-DC-DC转换器-初级侧开关