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DMTH47M2LPSWQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:73A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：高频开关、同步整流、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH47M2LPSWQ-13
- 商品编号
- C7172166
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V；8.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度高达+175°C,非常适合高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将功率损耗降至最低
- 可焊侧翼设计,便于光学检测
- 开关速度快
- 输入电容低
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过AEC-Q101认证,可提供PPAP文件,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-高频开关-同步整流-DC-DC转换器