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DMTH47M2LPSWQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:73A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：高频开关、同步整流、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH47M2LPSWQ-13
- 商品编号
- C7172166
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V；8.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达 +175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行 100% 非箝位电感开关 (UIS) 测试，确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻 RDS(ON)，可将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子系统-DC-DC 转换器