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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W；96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.406nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产中进行100%非钳位电感开关 (UIS) 测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,环保型器件
应用领域
-电机控制-背光源