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DMT64M2LPSW-13实物图
  • DMT64M2LPSW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT64M2LPSW-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:20.7A 电流:100A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT64M2LPSW-13
商品编号
C7172142
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A;20.7A
导通电阻(RDS(on))4.4mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)2.8W;83.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)46.7nC@10V
输入电容(Ciss)2.799nF@30V
反向传输电容(Crss)79pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位感性开关(UIS)测试 — 确保终端应用更加可靠和耐用
  • 高转换效率
  • 低导通电阻(RDS(ON)) — 最大限度降低功率损耗
  • 低栅极电荷(QG) — 最大限度降低开关损耗
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 快速开关速度
  • 低输入电容
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-高频开关-同步整流-DC-DC转换器

数据手册PDF