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DMT2004UFG-13
1个N沟道 耐压:24V 电流:70A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT2004UFG-13
- 商品编号
- C7172113
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.683nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器