TK110E65Z,S1X
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK110E65Z,S1X
- 商品编号
- C7123950
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF |
商品概述
BLM9D2325 - 20AB是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN9 LDMOS技术的两级全集成Doherty单片微波集成电路（MMIC）解决方案。载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为2300 MHz至2500 MHz频率范围内大规模MIMO或小基站应用的末级器件。采用PQFN封装。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.092 Ω(典型值)
- 具备低电容的高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3 至 4 V(VDS = 10 V,ID = 1.02 mA)
应用领域
- 开关电源