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DMG1013TQ-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:460mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：直流-直流转换器、负载开关、电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1013TQ-7
- 商品编号
- C6934833
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 460mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 580pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 59.76pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12.07pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 16 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 74 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 0.77 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器