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DMNH6010SCTBQ-13实物图
  • DMNH6010SCTBQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMNH6010SCTBQ-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:133A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMNH6010SCTBQ-13
商品编号
C6934866
商品封装
TO-263AB(D2PAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)133A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)375W;5W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)2.692nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,非常适合高温环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻RDS(ON),可将功率损耗降至最低
  • 低栅极电荷Qg,可将开关损耗降至最低
  • 无铅镀层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

应用领域

-电机控制-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器

数据手册PDF