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DMP2109UVT-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2109UVT-7
- 商品编号
- C6934879
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(on)：最大限度降低传导损耗
- 快速开关速度：最大限度降低开关损耗
- “绿色”元件，符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-背光源-DC-DC转换器-打印机设备