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DMN2300UFB-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.32A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2300UFB-7B
- 商品编号
- C6934841
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@4.5V,300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 468mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 890pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67.6pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.58pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6 mm²，比SOT23小十三倍
- 高度0.5 mm，适用于薄型应用
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻 < 200 mΩ
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 栅极具备ESD保护
应用领域
-负载开关