温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN67D7L-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:210mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN67D7L-13
- 商品编号
- C6934864
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 821pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.1pF |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：VDSS = 1200V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 140mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
- 增强型模式。
应用领域
- 开关稳压器