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DMN33D8LTQ-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:115mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LTQ-7
- 商品编号
- C6934851
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 240mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 550pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 2KV静电防护栅极
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 无刷直流电机控制
- DC-DC转换器
- 负载开关