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DMN62D0UT-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D0UT-13
- 商品编号
- C6934860
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻：RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达1kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能