IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXFN80N60P3
- 商品编号
- C6884365
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
-国际标准封装-低本征栅极电阻-带氮化铝隔离的miniBLOC封装-动态dv/dt额定值-雪崩额定-快速本征整流器-低栅极电荷Qg-低导通电阻RDS(ON)-低漏极至散热片电容-低封装电感-高功率密度-易于安装-节省空间
应用领域
-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-高速功率开关应用