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IXFP80N25X3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFP80N25X3

250V、80A N沟道增强型功率MOSFET

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描述
特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
商品型号
IXFP80N25X3
商品编号
C6884383
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)390W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@1.5mA
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 雪崩耐用技术
  • 坚固栅氧化层技术
  • 更低的输入电容
  • 改进的栅极电荷
  • 扩展的安全工作区
  • 更低的漏电流:10μA(最大值)@ VDS = 400V
  • 低RDS(ON):0.254Ω(典型值)

数据手册PDF