- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 直接敷铜基板(DCB)上的硅芯片
- 隔离安装面
- 低本征栅极电阻
- 2500V电气隔离
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩额定值
- 快速本征整流器
- 低栅极电荷QG
- 低导通电阻RDS(on)
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源
- 交流电机驱动器
- 高速功率开关应用