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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AOT286L/AOB286L采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 常开模式
- 国际标准封装
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 有源负载