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IXTA6N50D2
参数完善中
AOT286L/AOB286L采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
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