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CPC3701CTR
1个N沟道 耐压:60V 电流:600mA
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- 描述
- CPC3701 是一款 N 沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用了专有的第三代垂直 DMOS 工艺。第三代工艺通过经济高效的硅栅工艺实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺造就了一款坚固耐用的器件，具有高输入阻抗，适用于高功率应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- CPC3701CTR
- 商品编号
- C6887204
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 耗尽型器件在低温下提供低RDS(on)
- 低导通电阻:25°C时最大为1Ω
- 高输入阻抗
- 低VGS(off)电压:-1.4至 - 3.1V
- 小封装尺寸SOT - 89
应用领域
- 点火模块
- 常开开关
- 固态继电器
- 转换器
- 安防
- 电源