商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
非常适合AB类和C类工业、科学、医疗和商业应用。
商品特性
- 隔离衬底
- 高隔离电压(>2500V)
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- IXYS射频低电容Z-MOS工艺
- 极低的插入电感(<2nH)
- 无氧化铍(BeO)或其他危险材料
- 高性能射频封装
- 易于安装,无需绝缘片
应用领域
- AB类和C类工业、科学、医疗和商业应用
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