IXTQ44P15T

RM110N150HD采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

• 国际标准封装
• 雪崩额定
• 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
• 快速本征二极管
• 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
• 易于安装
• 节省空间
• 高功率密度

• 高端开关
• 推挽放大器
• 直流斩波器
• 自动测试设备
• 电流调节器
• 电池充电器应用