- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.9nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 直接敷铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极到散热片电容(<30pF)
- 雪崩电压额定
- 快速恢复本征二极管
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 交流电机控制