商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- 专为线性操作设计
- 采用国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 集成栅极电阻,便于并联
- 保证75°C时的正向偏置安全工作区(FBSOA)
应用领域
-固态断路器-软启动控制-线性放大器-可编程负载-电流调节器
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