- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 193nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 直铜键合(Direct-Copper-Bond)基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极到散热片电容(<30pF)
- 低RDS(on)HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
- 快速本征整流器
- 易于组装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压开关模式和谐振模式电源
- 高压脉冲功率应用
- 激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路
- 高压DC-DC转换器
- 高压DC-AC逆变器