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IXFP60N25X3M引脚图
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IXFP60N25X3M

IXFP60N25X3M

商品型号
IXFP60N25X3M
商品编号
C6884377
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC
输入电容(Ciss)3.61nF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)645pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有任何表面贴装封装中具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 塑料包覆成型散热片
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 2500V电气隔离
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF