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IXFP36N30P3引脚图
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  • 焊盘图

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IXFP36N30P3

IXFP36N30P3

商品型号
IXFP36N30P3
商品编号
C6884375
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@10V
耗散功率(Pd)347W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC
输入电容(Ciss)2.04nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)355pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

650 V CoolSiC™基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料的特性,650 V CoolSiC™ MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣的工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速本征整流器
  • 雪崩额定值
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF