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IXFN210N30X3引脚图
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IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

商品型号
IXFN210N30X3
商品编号
C6884357
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)210A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)695W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)375nC
输入电容(Ciss)24.2nF
反向传输电容(Crss)7.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.1nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级,是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

-国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离-隔离电压约2500 V-高电流处理能力-雪崩额定-低导通电阻RDS(ON)-高功率密度-易于安装-节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF