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IXFH12N100P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFH12N100P

1000V N沟道增强型功率MOSFET

描述
特性:低RDS(th)和QG。雪崩额定。低封装电感。快速本征整流器。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
商品型号
IXFH12N100P
商品编号
C6884332
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))1.05Ω@10V
耗散功率(Pd)463W
阈值电压(Vgs(th))6.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)4.08nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF

商品特性

  • 低RDS(ON)和 QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF