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DMT10H009SK3-13实物图
  • DMT10H009SK3-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT10H009SK3-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:91A

描述
新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT10H009SK3-13
商品编号
C6832252
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)91A
导通电阻(RDS(on))9.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V;4V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)2.028nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)546pF

商品概述

这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 100%非钳位电感开关——确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON)——将功率损耗降至最低
  • 低Qg——将开关损耗降至最低
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • 背光照明

数据手册PDF